Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi · Elektrik-Elektronik Mühendisliği (%30 İngilizce) · Lisans
AKTS: 5 T+U+L: 3+0+0 Zorunlu
Koordinatör: Dr. Öğr. Üyesi Mohammed JOUDA
Ön Koşul Dersleri: EEM 211 - Elektrik Devreleri I
Dersin Amacı
Bu kursun amacı, diyotlar gibi temel elektronik elemanların işleyişini ve uygulamalarını öğretmek, diyotlar içeren devrelerin analizini yapmaktır. Tek aşamalı BJT ve MOSFET'in DC ve küçük sinyal özelliklerinin analizi yapılmaktadır.
Dersin Öğrenme Çıktıları
- Yarıiletken cihazların temel prensiplerini açıklar.
- Elektronik devreler ve sistemleri analiz etmek ve tasarlamak için kullanılan temel prensipleri ve soyutlamaları uygular.
- Diyotların büyük sinyal ve küçük sinyal özelliklerini uygular, diyotları içeren devreleri analiz eder, diyotların işleyişi ve uygulamalarını açıklar.
- Bipolar transistörlerin büyük sinyal ve küçük sinyal özelliklerini açıklar.
- MOS transistörlerin büyük sinyal ve küçük sinyal özelliklerini açıklar.
Öğretim Yöntem ve Teknikleri
AnlatımSoru-CevapTartışmaAlıştırma ve UygulamaBeyin FırtınasıBireysel ÇalışmaProblem ÇözmeProje Temelli Öğrenme (Saha çalışması dâhil)
Ölçme ve Değerlendirme
ÖdevPerformans Görevi (Uygulama / Laboratuvar / Atölye / Arazi Çalışması / Seminer / Sunum / Bitirme Çalışması / Tez)Sınav (Yazılı Sınav / Test: Doğru-Yanlış Testi, Çoktan Seçmeli Testi, Kısa Cevaplı Test, Eşleştirmeli Test)
AKTS / İş Yükü
| Etkinlik | Sayı | Süre (saat) | Toplam İş Yükü |
|---|---|---|---|
| Ders Süresi (Sınav Haftası Dahil) | 15 | 3 | 45 |
| Sınıf Dışı Ders Çalışma Süresi | 13 | 5 | 65 |
| Ara Sınav | 1 | 4 | 4 |
| Kısa Sınav | 3 | 1 | 3 |
| Ödev | 3 | 1 | 3 |
| Uygulama | 0 | 0 | 0 |
| Final | 1 | 5 | 5 |
Ders Akışı
| Hafta | Konu | Ön Hazırlık |
|---|---|---|
| 1 | Semiconductors: Intrinsic Semiconductors, Doped Semiconductors, Current Flow in Semiconductors, | Semiconductors: Intrinsic Semiconductors, Doped Semiconductors, Current Flow in Semiconductors, |
| 2 | Semiconductors: The pn Junction, The pn Junction with an Applied Voltage, and Diodes: The Ideal Diode, Terminal Characteristics of Junction Diodes | Semiconductors: The pn Junction, The pn Junction with an Applied Voltage, and Diodes: The Ideal Diode, Terminal Characteristics of Junction Diodes |
| 3 | Diodes: Modeling the Diode Forward Characteristic | Diodes: Modeling the Diode Forward Characteristic |
| 4 | Diodes: Operation in the Reverse Breakdown Region-Zener Diodes, Rectifier Circuits | Diodes: Operation in the Reverse Breakdown Region-Zener Diodes, Rectifier Circuits |
| 5 | Diodes: Limiting and Clamping Circuits | Diodes: Limiting and Clamping Circuits |
| 6 | Bipolar Junction Transistors (BJTs): Device Structure, Current–Voltage Characteristics | Bipolar Junction Transistors (BJTs): Device Structure, Current–Voltage Characteristics |
| 7 | Bipolar Junction Transistors (BJTs): BJT Circuits at DC | Bipolar Junction Transistors (BJTs): BJT Circuits at DC |
| 8 | Midterm Exam | To be announced |
| 9 | Bipolar Junction Transistors (BJTs): Small-Signal Operation and Models | Bipolar Junction Transistors (BJTs): Small-Signal Operation and Models |
| 10 | Bipolar Junction Transistors (BJTs): Basic BJT Amplifier Configurations, and MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Device Structure and Physical Operation | Bipolar Junction Transistors (BJTs): Basic BJT Amplifier Configurations, and MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Device Structure and Physical Operation |
| 11 | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Current–Voltage Characteristics, MOSFET Circuits at DC | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Current–Voltage Characteristics, MOSFET Circuits at DC |
| 12 | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Applying the MOSFET in Amplifier Design, Basic MOSFET Amplifier Configurations | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Applying the MOSFET in Amplifier Design, Basic MOSFET Amplifier Configurations |
| 13 | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Small-Signal Operation and Models, Biasing in MOS Amplifier Circuits. | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Small-Signal Operation and Models, Biasing in MOS Amplifier Circuits. |
| 14 | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Discrete-Circuit MOS Amplifiers | MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs): Discrete-Circuit MOS Amplifiers |
| 15 | Final Exam | To be announced |